Вчені з Пекінського університету заявили про створення першого у світі двовимірного малопотужного транзистора GAAFET. Китайські дослідники називають свою розробку «багатошаровою, пластинчастою, монокристалічною двовимірною конфігурацією GAA.
«Це найшвидший і найефективніший транзистор з будь-коли створених. Якщо інновації в області чипів на основі існуючих матеріалів вважаються «коротким шляхом», то наша розробка транзисторів на основі 2D-матеріалів схожа на «зміну смуги руху»», — заявляє керівник дослідження, професор Пен Хайлін.
Китайські вчені заявляють, що їхній транзистор за результатами тестів перевершив аналогічні розробки Intel, TSMC, Samsung та інших виробників. Польові транзистори Gate-all-around, скорочено GAAFET, є наступним етапом еволюції транзисторної технології після MOSFET та FINFET.
Прогрес у виробництві транзисторів було досягнуті переважно за рахунок покращення контролю за джерелами та кращим зв’язком із затворами. Якщо у MOSFET-транзисторів затвор контактує з джерелом лише в одній площині, у FINFET — затвори торкаються трьох площин, схема Gate-all-around охоплює всі джерела, що перетинаются у затворах. Це дає їм можливість контролювати електричний струм у каналі за допомогою електричного поля, створюваного напругою на затворі. Конструкція “все навколо” (Gate-All-Around) забезпечує покращене управління відстанню та формою каналу, що дозволяє досягати високої продуктивності навіть на малих масштабах.
Однак ключова особливість китайської розробки полягає у двовимірних транзисторах, що зумовлено використанням альтернативних кремнієвим елементів.
У якості альтернативи кремнію китайські вчені використали напівпровідниковий матеріал оксиселенід вісмуту (Bi₂O₂Se), здатний бути двовимірним напівпровідником. Такі напівпровідники більш гнучкі та міцні, коли мають малі розмірі, порівняно із кремнієм, який демонструє знижену рухливість носіїв навіть на рівні у 10 нанометрів.
Через торгівельну війну зі США Китай залишився без доступу до таких технологій, як EUV-літографія для виробництва інтегральних схем. У зв’язку з чим інвестував великі кошти у створення альтернативних технологій.
admin